Číslo produktu výrobce:
IPB80P04P407ATMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPB80P04P407ATMA1-DG
Popis:
MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Podrobný popis:
P-Channel 40 V 80A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventář:
12804013
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPB80P04P407ATMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
-
Řada
OptiMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
40 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
80A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
7.4mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 150µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
89 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6085 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
88W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO263-3-2
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
IPB80P
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
1,000
Další jména
IPB80P04P407ATMA1-DG
SP000842038
448-IPB80P04P407ATMA1TR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IPB80P04P407ATMA2
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1904
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPB80P04P407ATMA2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.97
Druh náhrady
Parametric Equivalent
DIGI Certifikace
Související produkty
IPW60R120C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 19A TO247-3
IPP65R110CFDXKSA1
MOSFET N-CH 700V 31.2A TO220-3
IRFS38N20DTRLP
MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK
