Číslo produktu výrobce:
IPB80P04P4L08ATMA2
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPB80P04P4L08ATMA2-DG
Popis:
MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Podrobný popis:
P-Channel 40 V 80A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventář:
1996 Ks Nový Originál Skladem
12927961
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
FP0r
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPB80P04P4L08ATMA2 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
OptiMOS®-P2
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
40 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
80A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
8.2mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 120µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
92 nC @ 10 V
VGS (Max)
+5V, -16V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5430 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
75W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO263-3-2
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
IPB80P
Další informace
Standardní balíček
1,000
Další jména
448-IPB80P04P4L08ATMA2CT
SP002325748
448-IPB80P04P4L08ATMA2TR
448-IPB80P04P4L08ATMA2DKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
AOTF3N80
MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220-3F
PCF8051LW
MOSFET N-CH
JANTXV2N6790
MOSFET N-CH 200V 3.5A TO205AF
