Číslo produktu výrobce:
IPB95R310PFD7ATMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPB95R310PFD7ATMA1-DG
Popis:
LOW POWER_NEW
Podrobný popis:
N-Channel 950 V 17.5A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventář:
1000 Ks Nový Originál Skladem
12991605
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPB95R310PFD7ATMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
CoolMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
950 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
17.5A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
310mOhm @ 10.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 520µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
61 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1765 pF @ 400 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
125W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO263-3-2
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
1,000
Další jména
SP005547008
448-IPB95R310PFD7ATMA1DKR
448-IPB95R310PFD7ATMA1TR
448-IPB95R310PFD7ATMA1CT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
ISZ810P06LMATMA1
TRENCH 40<-<100V
IAUTN06S5N008ATMA1
MOSFET_)40V 60V)
IPW95R130PFD7XKSA1
HIGH POWER_NEW