Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
IPC90N04S5L3R3ATMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPC90N04S5L3R3ATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 90A 8TDSON-34
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 90A (Tc) 62W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-34
Inventář:
9317 Ks Nový Originál Skladem
12799756
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPC90N04S5L3R3ATMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
OptiMOS™
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
40 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
90A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
3.3mOhm @ 45A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 23µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
VGS (Max)
±16V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2145 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
62W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-TDSON-8-34
Balení / pouzdro
8-PowerTDFN
Základní číslo výrobku
IPC90N04
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
IPC90N04S5L-3R3
Technické listy
IPC90N04S5L3R3ATMA1
HTML Datový list
IPC90N04S5L3R3ATMA1-DG
Další informace
Standardní balíček
5,000
Další jména
2156-IPC90N04S5L3R3ATMA1
IPC90N04S5L3R3ATMA1-DG
IPC90N04S5L3R3ATMA1CT
IPC90N04S5L3R3ATMA1TR
SP001418122
IPC90N04S5L3R3ATMA1DKR
INFINFIPC90N04S5L3R3ATMA1
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IAUC100N04S6L025ATMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
49079
DiGi ČÍSLO DÍLU
IAUC100N04S6L025ATMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.38
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
RS1G260MNTB
VÝROBCE
Rohm Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2296
DiGi ČÍSLO DÍLU
RS1G260MNTB-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.77
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
BSS127L6327HTSA1
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
BSC016N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON
BSC022N04LS6ATMA1
MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON
BTS244ZE3062AATMA2
MOSFET N-CH 55V 35A TO263-5