Číslo produktu výrobce:
IPD031N03LGATMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPD031N03LGATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 90A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventář:
4331 Ks Nový Originál Skladem
12801482
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPD031N03LGATMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
90A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
3.1mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5300 pF @ 15 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
94W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO252-3-11
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
IPD031
Technický list a dokumenty
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
IPD021N03LGINTR-DG
IPD021N03LGINCT-DG
IPD031N03LGATMA1CT
IPD021N03LGINDKR-DG
IPD031N03LGINTR-DG
IPD031N03LGINCT-DG
IPD031N03L G
IPD031N03LGATMA1TR
IPD021N03LGINCT
IPD021N03LGINDKR
IPD031N03LG
IPD031N03LGXT
IPD031N03LGATMA1DKR
IPD031N03LGINDKR-DG
IPD031N03LGINCT
SP000680554
IPD021N03LGINTR
IPD021N03LG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IPP11N03LA
MOSFET N-CH 25V 30A TO220-3
IPAN70R450P7SXKSA1
MOSFET N-CH 700V 10A TO220
IPB45N06S409ATMA1
MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
