Číslo produktu výrobce:
IPD046N08N5ATMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPD046N08N5ATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 80 V 90A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventář:
2400 Ks Nový Originál Skladem
12801290
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
qyQL
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPD046N08N5ATMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
80 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
90A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
6V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
4.6mOhm @ 45A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.8V @ 65µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
53 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3800 pF @ 40 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
125W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO252-3
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
IPD046
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
448-IPD046N08N5ATMA1CT
IPD046N08N5ATMA1-DG
SP001475652
448-IPD046N08N5ATMA1DKR
448-IPD046N08N5ATMA1TR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
FDD86367
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
40875
DiGi ČÍSLO DÍLU
FDD86367-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.86
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
IPI65R190CFDXKSA2
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262-3
IPB065N06L G
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
BSP171PE6327
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
