Číslo produktu výrobce:
IPD30N12S3L31ATMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPD30N12S3L31ATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CHANNEL_100+
Podrobný popis:
N-Channel 120 V 30A (Tc) 57W Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventář:
1002 Ks Nový Originál Skladem
12804543
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPD30N12S3L31ATMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
OptiMOS®-T
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
120 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
30A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
31mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.4V @ 29µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1970 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
57W
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO252-3-11
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
IPD30N12
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
448-IPD30N12S3L31ATMA1CT
448-IPD30N12S3L31ATMA1DKR
448-IPD30N12S3L31ATMA1TR
IPD30N12S3L31ATMA1-DG
SP001398654
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IRF3000PBF
MOSFET N-CH 300V 1.6A 8SO
IRF7807ZTRPBF
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
IRFZ46NSPBF
MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
