Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
IPD50R280CEBTMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPD50R280CEBTMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 13A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 13A (Tc) 92W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventář:
Poptejte online
12799697
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPD50R280CEBTMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
-
Řada
CoolMOS™ CE
Stav produktu
Discontinued at Digi-Key
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
500 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
13A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
13V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
280mOhm @ 4.2A, 13V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 350µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
32.6 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
773 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
92W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO252-3-11
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
IPD50R
Technický list a dokumenty
Technické listy
IPD50R280CEBTMA1
HTML Datový list
IPD50R280CEBTMA1-DG
Katalogové listy
IPD50R280CE
500V CoolMOS CE Brief
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
IPD50R280CEINDKR
IPD50R280CEINCT-DG
IPD50R280CEIN
IPD50R280CEINCT
IPD50R280CEBTMA1CT
IPD50R280CEINTR-DG
-IPD50R280CE
IPD50R280CEBTMA1DKR
IPD50R280CEINDKR-DG
IPD50R280CEBTMA1TR
IPD50R280CEIN-DG
IPD50R280CE
SP000992082
IPD50R280CEINTR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
3 (168 Hours)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IPD33CN10NGATMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
30085
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPD33CN10NGATMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.45
Druh náhrady
Direct
ČÍSLO DÍLU
STD18N55M5
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
3540
DiGi ČÍSLO DÍLU
STD18N55M5-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.31
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
BSC120N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 11A/39A TDSON
IPC302N15N3X7SA1
MV POWER MOS
IPA65R600E6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-FP
BSC032N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 21A/98A TDSON