Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
IPD60R1K4C6
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPD60R1K4C6-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 3.2A (Tc) 28.4W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventář:
Poptejte online
12800297
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPD60R1K4C6 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
-
Řada
CoolMOS™ C6
Stav produktu
Discontinued at Digi-Key
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
3.2A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.4Ohm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 90µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
9.4 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
200 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
28.4W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO252-3
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
IPD60R
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
IPD60R1K4C6
Technické listy
IPD60R1K4C6
HTML Datový list
IPD60R1K4C6-DG
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
SP000799134
IPD60R1K4C6BTMA1
IPD60R1K4C6CT
IPD60R1K4C6DKR
IPD60R1K4C6TR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
STD6N65M2
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2496
DiGi ČÍSLO DÍLU
STD6N65M2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.48
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
STD5N60M2
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2500
DiGi ČÍSLO DÍLU
STD5N60M2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.64
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
STD7N60M2
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
14171
DiGi ČÍSLO DÍLU
STD7N60M2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.50
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
STD6N62K3
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
196
DiGi ČÍSLO DÍLU
STD6N62K3-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.76
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
AOD7N65
VÝROBCE
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
8528
DiGi ČÍSLO DÍLU
AOD7N65-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.38
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
IPC60R180P7X7SA1
MOSFET N-CH DIE
IPB65R190CFDAATMA1
MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK
BSZ100N06LS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON
IPD060N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3