Číslo produktu výrobce:
IPD60R380P6BTMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPD60R380P6BTMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 10.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventář:
12804686
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPD60R380P6BTMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
-
Řada
CoolMOS™ P6
Stav produktu
Discontinued at Digi-Key
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
10.6A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
380mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 320µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
877 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
83W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO252-3
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
IPD60R
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
IPD60R380P6BTMA1CT
IPD60R380P6BTMA1DKR
IPD60R380P6BTMA1TR
SP001017052
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IPD60R380P6ATMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPD60R380P6ATMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.69
Druh náhrady
Direct
DIGI Certifikace
Související produkty
IPP60R600CPXKSA1
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO220-3
IRF7759L2TR1PBF
MOSFET N-CH 75V 26A DIRECTFET
IPW50R299CPFKSA1
MOSFET N-CH 550V 12A TO247-3
