Číslo produktu výrobce:
IPD60R650CEAUMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPD60R650CEAUMA1-DG
Popis:
CONSUMER
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 9.9A (Tc) 82W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-344
Inventář:
12800711
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPD60R650CEAUMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
CoolMOS™ CE
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
9.9A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
650mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 200µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
20.5 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
440 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
82W (Tc)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO252-3-344
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
IPD60R
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
SP001396884
2156-IPD60R650CEAUMA1
ROCINFIPD60R650CEAUMA1
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
3 (168 Hours)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
AOD7S65
VÝROBCE
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2492
DiGi ČÍSLO DÍLU
AOD7S65-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.58
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
IPC50R045CPX1SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
IPB90N06S4L04ATMA2
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
IPA70R450P7SXKSA1
MOSFET N-CH 700V 10A TO220