Číslo produktu výrobce:
IPD60R950C6ATMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPD60R950C6ATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 4.4A (Tc) 37W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventář:
4797 Ks Nový Originál Skladem
12804596
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPD60R950C6ATMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
CoolMOS™ C6
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
4.4A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
950mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 130µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
280 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
37W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO252-3
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
IPD60R
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
SP001117730
2156-IPD60R950C6ATMA1
IPD60R950C6ATMA1-DG
IPD60R950C6ATMA1DKR
IPD60R950C6ATMA1TR
IPD60R950C6ATMA1CT
ROCINFIPD60R950C6ATMA1
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IPD068P03L3GBTMA1
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
IRF8327STR1PBF
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
IPZA60R080P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 37A TO247-4