Číslo produktu výrobce:
IPD65R660CFDATMA2
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPD65R660CFDATMA2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3-313
Podrobný popis:
N-Channel 700 V 6A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Inventář:
1827 Ks Nový Originál Skladem
13276481
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPD65R660CFDATMA2 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
CoolMOS™ CFD2
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
700 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
6A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
660mOhm @ 2.1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 200µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
615 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
63W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO252-3-313
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
IPD65R660
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
448-IPD65R660CFDATMA2CT
448-IPD65R660CFDATMA2DKR
SP001977050
448-IPD65R660CFDATMA2TR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IPLK70R1K4P7ATMA1
MOSFET N-CH 700V TDSON-8
IPLK80R2K0P7ATMA1
MOSFET 800V TDSON-8
IPLK80R1K4P7ATMA1
MOSFET 800V TDSON-8
