Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
IPD80R1K0CEATMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPD80R1K0CEATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 5.7A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventář:
2125 Ks Nový Originál Skladem
12801465
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPD80R1K0CEATMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
CoolMOS™ CE
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
800 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
5.7A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
950mOhm @ 3.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.9V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
785 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
83W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO252-3
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
IPD80R1
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
IPx80R1K0CE
Technické listy
IPD80R1K0CEATMA1
HTML Datový list
IPD80R1K0CEATMA1-DG
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
IPD80R1K0CEATMA1-DG
IPD80R1K0CEATMA1CT
SP001130974
IPD80R1K0CEATMA1DKR
IPD80R1K0CEATMA1TR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
TK5P60W,RVQ
VÝROBCE
Toshiba Semiconductor and Storage
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
9180
DiGi ČÍSLO DÍLU
TK5P60W,RVQ-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.68
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
TSM60NB900CP ROG
VÝROBCE
Taiwan Semiconductor Corporation
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2480
DiGi ČÍSLO DÍLU
TSM60NB900CP ROG-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.64
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
IPB240N04S41R0ATMA1
MOSFET N-CH 40V 240A TO263-7
IPB120N04S402ATMA1
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
IPP120N04S302AKSA1
MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
IPN50R950CEATMA1
MOSFET N-CH 500V 6.6A SOT223