Číslo produktu výrobce:
IPD80R1K4CEATMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPD80R1K4CEATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 3.9A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventář:
12801213
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPD80R1K4CEATMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
CoolMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
800 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
3.9A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.4Ohm @ 2.3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.9V @ 240µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
570 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
63W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO252-3
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
IPD80R1
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
SP001130972
IPD80R1K4CEATMA1-DG
IPD80R1K4CEATMA1TR
IPD80R1K4CEATMA1CT
IPD80R1K4CEATMA1DKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
STD5N62K3
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2481
DiGi ČÍSLO DÍLU
STD5N62K3-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.42
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
IPI90R500C3XKSA2
MOSFET N-CH 900V 11A TO262-3
BSP613P
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4
IPD70N10S312ATMA1
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
