Číslo produktu výrobce:
IPD80R2K4P7ATMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPD80R2K4P7ATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 2.5A (Tc) 22W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventář:
2421 Ks Nový Originál Skladem
12803344
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPD80R2K4P7ATMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
CoolMOS™ P7
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
800 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
2.4Ohm @ 800mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 40µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
150 pF @ 500 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
22W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO252-3
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
IPD80R2
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
IPD80R2K4P7ATMA1TR
IPD80R2K4P7ATMA1CT
IFEINFIPD80R2K4P7ATMA1
2156-IPD80R2K4P7ATMA1
SP001644284
IPD80R2K4P7ATMA1DKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
STD4LN80K5
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2485
DiGi ČÍSLO DÍLU
STD4LN80K5-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.59
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
IPC60R380E6X1SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
IPP90N06S4L04AKSA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
IPD60R600P7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
