IPD900P06NMATMA1
Číslo produktu výrobce:

IPD900P06NMATMA1

Product Overview

Výrobce:

Infineon Technologies

Číslo dílu:

IPD900P06NMATMA1-DG

Popis:

MOSFET P-CH 60V 16.4A TO252
Podrobný popis:
P-Channel 60 V 16.4A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313

Inventář:

5113 Ks Nový Originál Skladem
13276448
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

IPD900P06NMATMA1 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
16.4A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
90mOhm @ 16.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 710µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 30 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
63W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO252-3-313
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
IPD90

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Další informace

Standardní balíček
2,500
Další jména
448-IPD900P06NMATMA1TR
448-IPD900P06NMATMA1CT
448-IPD900P06NMATMA1DKR
INFINFIPD900P06NMATMA1
SP004987258
2156-IPD900P06NMATMA1

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
infineon-technologies

IPW60R045P7XKSA1

MOSFET N-CH 650V 61A TO247-3-41

infineon-technologies

IAUZ18N10S5L420ATMA1

MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8-32

infineon-technologies

IPA126N10NM3SXKSA1

MOSFET N-CH 100V 39A TO220

infineon-technologies

IPLK80R750P7ATMA1

MOSFET 800V TDSON-8