IPD90N06S405ATMA2
Číslo produktu výrobce:

IPD90N06S405ATMA2

Product Overview

Výrobce:

Infineon Technologies

Číslo dílu:

IPD90N06S405ATMA2-DG

Popis:

MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11

Inventář:

12801157
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
wmlB
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

IPD90N06S405ATMA2 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
90A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
5.1mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 60µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
81 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6500 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
107W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO252-3-11
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
IPD90

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Další informace

Standardní balíček
2,500
Další jména
448-IPD90N06S405ATMA2TR
IPD90N06S405ATMA2-DG
2156-IPD90N06S405ATMA2
SP001028730
448-IPD90N06S405ATMA2DKR
448-IPD90N06S405ATMA2CT
INFINFIPD90N06S405ATMA2

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
infineon-technologies

IPL65R190E6AUMA1

MOSFET N-CH 650V 20.2A 4VSON

infineon-technologies

IPD053N08N3GBTMA1

MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3

infineon-technologies

IPB80N06S3-07

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

infineon-technologies

IPB25N06S3-25

MOSFET N-CH 55V 25A TO263-3