Číslo produktu výrobce:
IPI076N15N5AKSA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPI076N15N5AKSA1-DG
Popis:
MV POWER MOS
Podrobný popis:
N-Channel 150 V 112A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventář:
455 Ks Nový Originál Skladem
12803224
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPI076N15N5AKSA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tube
Řada
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
150 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
112A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
8V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
7.6mOhm @ 56A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.6V @ 160µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
61 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4700 pF @ 75 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
214W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO262-3
Balení / pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Základní číslo výrobku
IPI076
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
IPI076N15N5AKSA1-DG
448-IPI076N15N5AKSA1
SP001326438
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IPB029N06N3GE8187ATMA1
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
IPT020N10N3ATMA1
MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
IPW60R280P6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3
