Číslo produktu výrobce:
IPI084N06L3GXKSA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPI084N06L3GXKSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 50A TO262-3
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 79W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Inventář:
12803247
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPI084N06L3GXKSA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
-
Řada
OptiMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
50A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
8.4mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 34µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4900 pF @ 30 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
79W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO262-3-1
Balení / pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Základní číslo výrobku
IPI084N
Technický list a dokumenty
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
500
Další jména
SP001065242
2156-IPI084N06L3GXKSA1
IFEINFIPI084N06L3GXKSA1
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IPC302N08N3X1SA1
MOSFET N-CH 80V 1A SAWN ON FOIL
IRFR4105ZTRL
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
IPC65R070C6X1SA1
MOSFET N-CH BARE DIE