Číslo produktu výrobce:
IPN60R360PFD7SATMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPN60R360PFD7SATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 10A SOT223
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 7W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-3-1
Inventář:
13573 Ks Nový Originál Skladem
12810864
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPN60R360PFD7SATMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
CoolMOS™PFD7
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
10A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
360mOhm @ 2.9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 140µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
12.7 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
534 pF @ 400 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
7W (Tc)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-SOT223-3-1
Balení / pouzdro
TO-261-3
Základní číslo výrobku
IPN60R
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
448-IPN60R360PFD7SATMA1CT
SP004038250
448-IPN60R360PFD7SATMA1DKR
448-IPN60R360PFD7SATMA1TR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IMZA65R048M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
IPD60R280PFD7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
IMW65R027M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
