Číslo produktu výrobce:
IPN70R1K4P7SATMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPN70R1K4P7SATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
Podrobný popis:
N-Channel 700 V 4A (Tc) 6.2W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Inventář:
7808 Ks Nový Originál Skladem
12804747
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPN70R1K4P7SATMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
CoolMOS™ P7
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
700 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
4A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.4Ohm @ 700mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 40µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
4.7 nC @ 10 V
VGS (Max)
±16V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
158 pF @ 400 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
6.2W (Tc)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-SOT223
Balení / pouzdro
TO-261-4, TO-261AA
Základní číslo výrobku
IPN70R1
Technický list a dokumenty
Technické listy
HTML Datový list
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
IPN70R1K4P7SATMA1CT
IPN70R1K4P7SATMA1TR
IPN70R1K4P7SATMA1-DG
SP001657492
IPN70R1K4P7SATMA1DKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IRFL024Z
MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
IPD75N04S406ATMA1
MOSFET N-CH 40V 75A TO252-3
IPD040N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
