IPN70R450P7SATMA1
Číslo produktu výrobce:

IPN70R450P7SATMA1

Product Overview

Výrobce:

Infineon Technologies

Číslo dílu:

IPN70R450P7SATMA1-DG

Popis:

MOSFET N-CH 700V 10A SOT223
Podrobný popis:
N-Channel 700 V 10A (Tc) 7.1W (Tc) Surface Mount PG-SOT223

Inventář:

802 Ks Nový Originál Skladem
12804122
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
ptBl
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

IPN70R450P7SATMA1 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
CoolMOS™ P7
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
700 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
10A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
450mOhm @ 2.3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 120µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
13.1 nC @ 10 V
VGS (Max)
±16V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
424 pF @ 400 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
7.1W (Tc)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-SOT223
Balení / pouzdro
TO-261-4, TO-261AA
Základní číslo výrobku
IPN70R450

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
3,000
Další jména
IPN70R450P7SATMA1TR
SP001664926
IPN70R450P7SATMA1-DG
INFINFIPN70R450P7SATMA1
2156-IPN70R450P7SATMA1
IPN70R450P7SATMA1CT
IPN70R450P7SATMA1DKR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
infineon-technologies

IRFS4610TRLPBF

MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK

infineon-technologies

IPD25DP06NMATMA1

MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3

infineon-technologies

IPD06N03LA G

MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3

infineon-technologies

IPP90R1K2C3XKSA2

MOSFET N-CH 900V 5.1A TO220-3