Číslo produktu výrobce:
IPN80R900P7ATMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPN80R900P7ATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 6A (Tc) 7W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Inventář:
5780 Ks Nový Originál Skladem
12803715
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPN80R900P7ATMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
CoolMOS™ P7
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
800 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
6A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
900mOhm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 110µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
350 pF @ 500 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
7W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-SOT223
Balení / pouzdro
TO-261-4, TO-261AA
Základní číslo výrobku
IPN80R900
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
SP001665000
IPN80R900P7ATMA1CT
IPN80R900P7ATMA1-DG
IPN80R900P7ATMA1TR
IPN80R900P7ATMA1DKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IRFR540ZPBF
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
IPP60R380P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-3
IPW65R280E6FKSA1
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247-3
