Číslo produktu výrobce:
IPP015N04NGXKSA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPP015N04NGXKSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventář:
438 Ks Nový Originál Skladem
12814859
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPP015N04NGXKSA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tube
Řada
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
40 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
120A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.5mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 200µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
250 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
20000 pF @ 20 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
250W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO220-3-1
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
IPP015
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
IPP015N04N G-DG
SP000680760
448-IPP015N04NGXKSA1
IPP015N04NG
IPP015N04NGXKSA1-DG
2156-IPP015N04NGXKSA1
IPP015N04N G
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
SPB80N06S2L-H5
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
LND150N3-G-P002
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
IRF3711ZCS
MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
