Číslo produktu výrobce:
IPP041N12N3GXKSA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPP041N12N3GXKSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventář:
569 Ks Nový Originál Skladem
12803539
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
ov5q
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPP041N12N3GXKSA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tube
Řada
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
120 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
120A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
4.1mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 270µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
211 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
13800 pF @ 60 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
300W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO220-3
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
IPP041
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
SP000652746
IPP041N12N3 G
IPP041N12N3 G-DG
IPP041N12N3GXKSA1-DG
448-IPP041N12N3GXKSA1
IPP041N12N3G
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IRFR3303TR
MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
IPB320N20N3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 34A D2PAK
IRFHM8329TRPBF
MOSFET N-CH 30V 16A/57A PQFN
