Číslo produktu výrobce:
IPP50R190CEXKSA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPP50R190CEXKSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 18.5A (Tc) 127W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventář:
13064156
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
HDTT
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPP50R190CEXKSA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tube
Řada
CoolMOS™ CE
Balení
Tube
Stav dílu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
500 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
18.5A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
13V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
190mOhm @ 6.2A, 13V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 510µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
47.2 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1137 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
127W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO220-3
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
IPP50R190
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
IPP50R190CE-ND
-IPP50R190CE
SP000850802
IPP50R190CE
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IRLI520NPBF
MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220AB FP
IRFZ48ZSPBF
MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK
IRF7321D2
MOSFET P-CH 30V 4.7A 8SO
