Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
IPP50R250CPXKSA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPP50R250CPXKSA1-DG
Popis:
LOW POWER_LEGACY
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 13A (Tc) 114W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventář:
Poptejte online
12803439
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPP50R250CPXKSA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tube
Řada
CoolMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
500 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
13A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
250mOhm @ 7.8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 520µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1420 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
114W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO220-3-1
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
IPP50R250
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
IPP50R250CP
Technické listy
IPP50R250CPXKSA1
HTML Datový list
IPP50R250CPXKSA1-DG
Další informace
Standardní balíček
500
Další jména
SP000680936
IPP50R250CPXKSA1-DG
448-IPP50R250CPXKSA1
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
STP20NM50
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
944
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP20NM50-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.54
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
STP19NM50N
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
976
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP19NM50N-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.75
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
IXTP460P2
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
270
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXTP460P2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
3.30
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
IRF520NS
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
IPI80N06S3-05
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
IPP80N03S4L04AKSA1
MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
IPP65R110CFDAAKSA1
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220-3