Číslo produktu výrobce:
IPP600N25N3GXKSA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPP600N25N3GXKSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 250 V 25A (Tc) 136W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventář:
647 Ks Nový Originál Skladem
12802896
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPP600N25N3GXKSA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tube
Řada
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
250 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
25A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
60mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 90µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2350 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
136W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO220-3-1
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
IPP600
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
IPP600N25N3GXKSA1-DG
IPP600N25N3G
448-IPP600N25N3GXKSA1
IPP600N25N3 G
IPP600N25N3 G-DG
SP000677832
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IRF8306MTRPBF
MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
IPD65R380C6ATMA1
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
IPI80N06S207AKSA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3