Číslo produktu výrobce:
IPP60R160P6XKSA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPP60R160P6XKSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 23.8A (Tc) 176W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventář:
478 Ks Nový Originál Skladem
12805884
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
Ibwp
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPP60R160P6XKSA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tube
Řada
CoolMOS™ P6
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
23.8A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
160mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 750µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2080 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
176W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO220-3
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
IPP60R160
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
SP001017068
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IRLR2905Z
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
IRLML9301TRPBF
MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT23
IRL3803STRRPBF
MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK