Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
IPP60R600P7XKSA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPP60R600P7XKSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 6A (Tc) 30W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventář:
Poptejte online
12804667
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPP60R600P7XKSA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tube
Řada
CoolMOS™ P7
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
6A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
600mOhm @ 1.7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 80µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
9 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
363 pF @ 400 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
30W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO220-3
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
IPP60R600
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
IPP60R600P7
Technické listy
IPP60R600P7XKSA1
HTML Datový list
IPP60R600P7XKSA1-DG
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
448-IPP60R600P7XKSA1
IPP60R600P7XKSA1-DG
SP001606032
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IXFP16N60P3
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
47
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXFP16N60P3-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.49
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
IXTP8N65X2M
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
46
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXTP8N65X2M-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.27
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
IXFP14N60P
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXFP14N60P-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.90
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
IXTP14N60P
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
230
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXTP14N60P-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.05
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
IXTP8N70X2
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
28
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXTP8N70X2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.74
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
IRFH7004TR2PBF
MOSFET N CH 40V 100A PQFN5X6
IRFU3704ZPBF
MOSFET N-CH 20V 60A IPAK
IRF7477TRPBF
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
IRFB31N20DPBF
MOSFET N-CH 200V 31A TO220AB