Číslo produktu výrobce:
IPP80R750P7XKSA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPP80R750P7XKSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 7A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 7A (Tc) 51W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventář:
11 Ks Nový Originál Skladem
12806705
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
tXzL
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPP80R750P7XKSA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tube
Řada
CoolMOS™ P7
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
800 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
7A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
750mOhm @ 2.7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 140µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
460 pF @ 500 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
51W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO220-3
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
IPP80R750
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
2156-IPP80R750P7XKSA1
IFEINFIPP80R750P7XKSA1
SP001644608
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IXTP4N65X2
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
232
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXTP4N65X2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.12
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
IRFHM8235TRPBF
MOSFET N-CH 25V 16A 8PQFN
IRLR3714TRLPBF
MOSFET N-CH 20V 36A DPAK
IRFH5010TRPBF
MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN
