Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
IPT007N06NATMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPT007N06NATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 300A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Inventář:
3835 Ks Nový Originál Skladem
12803552
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
I
W
e
V
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPT007N06NATMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
300A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
6V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
0.75mOhm @ 150A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.3V @ 280µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
287 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
16000 pF @ 30 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
375W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-HSOF-8-1
Balení / pouzdro
8-PowerSFN
Základní číslo výrobku
IPT007
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
IPT007N06N
Technické listy
IPT007N06NATMA1
HTML Datový list
IPT007N06NATMA1-DG
Další informace
Standardní balíček
2,000
Další jména
IPT007N06N
SP001100158
Q9491993
IPT007N06NATMA1TR
IPT007N06NATMA1DKR
IPT007N06NATMA1CTINACTIVE
IPT007N06NATMA1CT
-IPT007N06NATMA1
IPT007N06NATMA1CT-NDL
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IRFR7446TRPBF
MOSFET N-CH 40V 56A DPAK
IRFS7730TRL7PP
MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK
IPAN70R900P7SXKSA1
MOSFET N-CH 700V 6A TO220
IPA60R299CPXKSA1
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-FP