IPW60R190C6FKSA1
Číslo produktu výrobce:

IPW60R190C6FKSA1

Product Overview

Výrobce:

Infineon Technologies

Číslo dílu:

IPW60R190C6FKSA1-DG

Popis:

MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1

Inventář:

292 Ks Nový Originál Skladem
12862298
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

IPW60R190C6FKSA1 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tube
Řada
CoolMOS™
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
20.2A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
190mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 630µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1400 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
151W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO247-3-1
Balení / pouzdro
TO-247-3
Základní číslo výrobku
IPW60R190

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
30
Další jména
IPW60R190C6
INFINFIPW60R190C6FKSA1
SP000621160
IPW60R190C6-DG
2156-IPW60R190C6FKSA1

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternativní modely

ČÍSLO DÍLU
IXFH42N60P3
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXFH42N60P3-DG
CENY ZA JEDNOTKU
4.39
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
FCH190N65F-F155
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
415
DiGi ČÍSLO DÍLU
FCH190N65F-F155-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.95
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
STW28N60DM2
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
STW28N60DM2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.76
Druh náhrady
Direct
ČÍSLO DÍLU
IXFH36N60P
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXFH36N60P-DG
CENY ZA JEDNOTKU
6.71
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
STW18N60M2
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
476
DiGi ČÍSLO DÍLU
STW18N60M2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.26
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
renesas-electronics-america

RJK2076DPA-00#J5A

MOSFET N-CH 200V 20A WPAK

renesas-electronics-america

RJK4006DPP-M0#T2

MOSFET N-CH 400V 8A TO220FL

renesas-electronics-america

UPA1917TE-T1-AT

MOSFET P-CH 20V SC-95

renesas-electronics-america

RJK2508DPK-00#T0

MOSFET N-CH 250V 50A TO3P