Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
IPW60R190C6FKSA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPW60R190C6FKSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Inventář:
292 Ks Nový Originál Skladem
12862298
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPW60R190C6FKSA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tube
Řada
CoolMOS™
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
20.2A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
190mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 630µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1400 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
151W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO247-3-1
Balení / pouzdro
TO-247-3
Základní číslo výrobku
IPW60R190
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
IPx60R190C6
Technické listy
IPW60R190C6FKSA1
HTML Datový list
IPW60R190C6FKSA1-DG
Další informace
Standardní balíček
30
Další jména
IPW60R190C6
INFINFIPW60R190C6FKSA1
SP000621160
IPW60R190C6-DG
2156-IPW60R190C6FKSA1
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IXFH42N60P3
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXFH42N60P3-DG
CENY ZA JEDNOTKU
4.39
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
FCH190N65F-F155
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
415
DiGi ČÍSLO DÍLU
FCH190N65F-F155-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.95
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
STW28N60DM2
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
STW28N60DM2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.76
Druh náhrady
Direct
ČÍSLO DÍLU
IXFH36N60P
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXFH36N60P-DG
CENY ZA JEDNOTKU
6.71
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
STW18N60M2
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
476
DiGi ČÍSLO DÍLU
STW18N60M2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.26
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
RJK2076DPA-00#J5A
MOSFET N-CH 200V 20A WPAK
RJK4006DPP-M0#T2
MOSFET N-CH 400V 8A TO220FL
UPA1917TE-T1-AT
MOSFET P-CH 20V SC-95
RJK2508DPK-00#T0
MOSFET N-CH 250V 50A TO3P