Číslo produktu výrobce:
IPW65R045C7FKSA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPW65R045C7FKSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 46A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Inventář:
1670 Ks Nový Originál Skladem
12805668
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPW65R045C7FKSA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tube
Řada
CoolMOS™ C7
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
46A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
45mOhm @ 24.9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1.25mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
93 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4340 pF @ 400 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
227W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO247-3-1
Balení / pouzdro
TO-247-3
Základní číslo výrobku
IPW65R045
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
30
Další jména
2156-IPW65R045C7FKSA1
SP000929412
INFINFIPW65R045C7FKSA1
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IRF7322D1TRPBF
MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO
IPP47N10SL26AKSA1
MOSFET N-CH 100V 47A TO220-3
IRFR3710ZTRL
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
