Číslo produktu výrobce:
IPW65R099CFD7AXKSA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPW65R099CFD7AXKSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 24A TO247-3-41
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 127W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Inventář:
194 Ks Nový Originál Skladem
12978144
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
2z45
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPW65R099CFD7AXKSA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tube
Řada
*
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
24A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
99mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 630µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
53 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2513 pF @ 400 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
127W (Tc)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO247-3-41
Balení / pouzdro
TO-247-3
Základní číslo výrobku
IPW65R099
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
30
Další jména
448-IPW65R099CFD7AXKSA1
SP005324286
2156-IPW65R099CFD7AXKSA1
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
AON6104FH
MOSFET N-CH 8DFN 5X6
IMBG120R090M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 26A TO263
GT6K2P10KH
MOSFET P-CH 100V 4.3A TO-252
