Číslo produktu výrobce:
IPW65R110CFDFKSA2
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPW65R110CFDFKSA2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Inventář:
208 Ks Nový Originál Skladem
12804537
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPW65R110CFDFKSA2 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tube
Řada
CoolMOS™ CFD2
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
31.2A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
110mOhm @ 12.7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 1.3mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
118 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3240 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
277.8W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO247-3-41
Balení / pouzdro
TO-247-3
Základní číslo výrobku
IPW65R110
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
30
Další jména
448-IPW65R110CFDFKSA2
SP001987370
IPW65R110CFDFKSA2-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IPD78CN10NGBUMA1
MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3
IRF3415L
MOSFET N-CH 150V 43A TO262
IRFR9120NPBF
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK