Číslo produktu výrobce:
IPW65R230CFD7AXKSA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPW65R230CFD7AXKSA1-DG
Popis:
650V COOLMOS CFD7A SJ POWER DEVI
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 63W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Inventář:
2 Ks Nový Originál Skladem
12973379
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPW65R230CFD7AXKSA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tube
Řada
CoolMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
11A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
230mOhm @ 5.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 260µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1044 pF @ 400 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
63W (Tc)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO247-3
Balení / pouzdro
TO-247-3
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
30
Další jména
448-IPW65R230CFD7AXKSA1
SP003793176
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
TSM60NC390CI C0G
600V, 11A, SINGLE N-CHANNEL POWE
IPD60R1K0PFD7SAUMA1
CONSUMER PG-TO252-3
IPDQ60R055CFD7XTMA1
HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
