Číslo produktu výrobce:
IPWS65R075CFD7AXKSA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPWS65R075CFD7AXKSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 32A TO247-3-41
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 32A (Tc) 171W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Inventář:
12977667
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPWS65R075CFD7AXKSA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tube
Řada
*
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
32A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
75mOhm @ 16.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 820µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3288 pF @ 400 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
171W (Tc)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO247-3-41
Balení / pouzdro
TO-247-3
Základní číslo výrobku
IPWS65
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
30
Další jména
2156-IPWS65R075CFD7AXKSA1
SP005405806
448-IPWS65R075CFD7AXKSA1
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IPW65R075CFD7AXKSA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
240
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPW65R075CFD7AXKSA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
4.61
Druh náhrady
Parametric Equivalent
DIGI Certifikace
Související produkty
MCAC38N10YHE3-TP
N-CHANNEL MOSFET, DFN5060
SI3139KA-TP
P-CHANNEL MOSFET, SOT-723
SIL05N06A-TP
N-CHANNEL MOSFET, SOT23-6L
