Číslo produktu výrobce:
IPZ60R099C7XKSA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPZ60R099C7XKSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 110W (Tc) Through Hole PG-TO247-4
Inventář:
12805343
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPZ60R099C7XKSA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tube
Řada
CoolMOS™ C7
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
22A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
99mOhm @ 9.7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 490µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1819 pF @ 400 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
110W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO247-4
Balení / pouzdro
TO-247-4
Základní číslo výrobku
IPZ60R099
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
240
Další jména
2156-IPZ60R099C7XKSA1
INFINFIPZ60R099C7XKSA1
SP001298006
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IPD80R280P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 17A TO252
IRF150P221XKMA1
MOSFET N-CH 150V 186A TO247-3
IRFH5015TRPBF
MOSFET N-CH 150V 10A/56A 8PQFN
