Číslo produktu výrobce:
IQE004NE1LM7ATMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IQE004NE1LM7ATMA1-DG
Popis:
TRENCH <= 40V
Podrobný popis:
N-Channel 15 V 58A (Ta), 379A (Tc) 2.1W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-5
Inventář:
13240503
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IQE004NE1LM7ATMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
OptiMOS™ 7
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
15 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
58A (Ta), 379A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 7V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
0.45mOhm @ 30A, 7V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 432µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 7 V
VGS (Max)
±7V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6240 pF @ 7.5 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.1W (Ta), 89W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-TSON-8-5
Balení / pouzdro
8-PowerTDFN
Další informace
Standardní balíček
5,000
Další jména
448-IQE004NE1LM7ATMA1DKR
448-IQE004NE1LM7ATMA1CT
448-IQE004NE1LM7ATMA1TR
SP005574597
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
AIMZHN120R040M1TXKSA1
SIC_DISCRETE
IPT60T040S7XTMA1
HIGH POWER_NEW
TSM1NB60LCW RPG
600V, 0.55A, SINGLE N-CHANNEL PO