Číslo produktu výrobce:
IRF100P219AKMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IRF100P219AKMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V TO247AC
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 203A (Tc) 3.8W (Ta), 341W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Inventář:
383 Ks Nový Originál Skladem
12989793
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IRF100P219AKMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tube
Řada
StrongIRFET™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
203A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
6V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.7mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.8V @ 278µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
210 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
12020 pF @ 50 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
3.8W (Ta), 341W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO247-3
Balení / pouzdro
TO-247-3
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
25
Další jména
SP005537805
448-IRF100P219AKMA1
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
SCTWA90N65G2V
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
NTH4LN067N65S3H
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
TPW5200FNH,L1Q
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
