Číslo produktu výrobce:
IRF100S201
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IRF100S201-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 192A (Tc) 441W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventář:
2305 Ks Nový Originál Skladem
12803931
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IRF100S201 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
HEXFET®, StrongIRFET™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
192A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
4.2mOhm @ 115A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
255 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
9500 pF @ 50 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
441W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO263-3
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
IRF100
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
800
Další jména
IRF100S201CT
IRF100S201-DG
SP001550868
IFEINFIRF100S201
IRF100S201TR
IRF100S201DKR
2156-IRF100S201
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IRFR3504TRPBF
MOSFET N-CH 40V 30A DPAK
IRF7207
MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SO
IRF6601
MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET
