Číslo produktu výrobce:
IRF1407STRLPBF
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IRF1407STRLPBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 75 V 100A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventář:
3999 Ks Nový Originál Skladem
12804678
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IRF1407STRLPBF Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
HEXFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
75 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
100A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
7.8mOhm @ 78A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
250 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5600 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
3.8W (Ta), 200W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
D2PAK
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
IRF1407
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
800
Další jména
IRF1407STRLPBFTR
SP001564712
IRF1407STRLPBFCT
IRF1407STRLPBFDKR
IRF1407STRLPBF-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IRFS4310ZPBF
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
IPW60R040C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3
IRF6609TRPBF
MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
