Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
IRF3709ZSTRRPBF
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IRF3709ZSTRRPBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 87A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventář:
1714 Ks Nový Originál Skladem
12803789
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IRF3709ZSTRRPBF Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
HEXFET®
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
87A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
6.3mOhm @ 21A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.25V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2130 pF @ 15 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
79W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
D2PAK
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
IRF3709
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
IRF3709Z(S,L)
Technické listy
IRF3709ZSTRRPBF
HTML Datový list
IRF3709ZSTRRPBF-DG
Další informace
Standardní balíček
800
Další jména
IRF3709ZSTRRPBF-DG
448-IRF3709ZSTRRPBFCT
448-IRF3709ZSTRRPBFTR
448-IRF3709ZSTRRPBFDKR
SP001563134
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
PSMN4R3-30BL,118
VÝROBCE
Nexperia USA Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
9945
DiGi ČÍSLO DÍLU
PSMN4R3-30BL,118-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.58
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
PSMN017-30BL,118
VÝROBCE
Nexperia USA Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1868
DiGi ČÍSLO DÍLU
PSMN017-30BL,118-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.37
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
IPW65R070C6FKSA1
MOSFET N-CH 650V 53.5A TO247-3
IRFU120NPBF
MOSFET N-CH 100V 9.4A IPAK
IPA65R045C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 18A TO220-FP
IPD90P04P4L04ATMA1
MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3