Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
IRF5851TRPBF
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IRF5851TRPBF-DG
Popis:
MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6TSOP
Podrobný popis:
Mosfet Array 20V 2.7A, 2.2A 960mW Surface Mount 6-TSOP
Inventář:
Poptejte online
12803304
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IRF5851TRPBF Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
-
Řada
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
N and P-Channel
Funkce FET
Logic Level Gate
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
2.7A, 2.2A
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
90mOhm @ 2.7A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.25V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
400pF @ 15V
Výkon - Max
960mW
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Balíček zařízení dodavatele
6-TSOP
Základní číslo výrobku
IRF58
Technický list a dokumenty
Technické listy
IRF5851TRPBF
HTML Datový list
IRF5851TRPBF-DG
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
IRF5851TRPBFDKR
SP001561866
IRF5851TRPBF-DG
IRF5851TRPBFCT
IRF5851TRPBFTR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
2 (1 Year)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
AO6604
VÝROBCE
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
165405
DiGi ČÍSLO DÍLU
AO6604-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.14
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
BSL215CH6327XTSA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
23807
DiGi ČÍSLO DÍLU
BSL215CH6327XTSA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.17
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
BSL806NL6327HTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 2.3A TSOP6-6
IRF8910GPBF
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8SO
IRF7752TRPBF
MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8TSSOP
IRF9395MTRPBF
MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFETMC