Číslo produktu výrobce:
IRF6622TRPBF
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IRF6622TRPBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 25V 15A DIRECTFET
Podrobný popis:
N-Channel 25 V 15A (Ta), 59A (Tc) 2.2W (Ta), 34W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ
Inventář:
12804902
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IRF6622TRPBF Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
-
Řada
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
25 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
15A (Ta), 59A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
6.3mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.35V @ 25µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1450 pF @ 13 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.2W (Ta), 34W (Tc)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
DIRECTFET™ SQ
Balení / pouzdro
DirectFET™ Isometric SQ
Technický list a dokumenty
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
4,800
Další jména
IRF6622TRPBFDKR
IRF6622TRPBFCT
IRF6622TRPBF-DG
IRF6622TRPBFTR
SP001530296
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IPP100N06S205AKSA1
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
IRF7421D1
MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SO
IRFZ46ZSPBF
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
