Číslo produktu výrobce:
IRF6643TR1PBF
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IRF6643TR1PBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
Podrobný popis:
N-Channel 150 V 6.2A (Ta), 35A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Inventář:
12810367
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IRF6643TR1PBF Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
-
Řada
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
150 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
6.2A (Ta), 35A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
34.5mOhm @ 7.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.9V @ 150µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2340 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
DIRECTFET™ MZ
Balení / pouzdro
DirectFET™ Isometric MZ
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
1,000
Další jména
IRF6643TR1PBFTR
IRF6643TR1PBFCT
IRF6643TR1PBFDKR
SP001554104
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IRF6643TRPBF
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
10693
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRF6643TRPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.85
Druh náhrady
Parametric Equivalent
DIGI Certifikace
Související produkty
IRLR7821TRRPBF
MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
IRFS3306PBF
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
IRFB3307
MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
