Číslo produktu výrobce:
IRF7233TRPBF
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IRF7233TRPBF-DG
Popis:
MOSFET P-CH 12V 9.5A 8SO
Podrobný popis:
P-Channel 12 V 9.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventář:
12804522
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IRF7233TRPBF Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
-
Řada
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
12 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
9.5A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
2.5V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
20mOhm @ 9.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
600mV @ 250µA (Min)
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 5 V
VGS (Max)
±12V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6000 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.5W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-SO
Balení / pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Další informace
Standardní balíček
4,000
Další jména
SP001561984
IRF7233PBFTR
IRF7233TRPBF-DG
IRF7233PBFCT
IRF7233TRPBFTR-DG
IRF7233PBFDKR
*IRF7233TRPBF
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
DIGI Certifikace
Související produkty
IRF1010NPBF
MOSFET N-CH 55V 85A TO220AB
IPB60R600C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 7.3A D2PAK
IRF7523D1
MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8
