Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
IRFB4215PBF
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IRFB4215PBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 115A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 115A (Tc) 270W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventář:
Poptejte online
12823150
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IRFB4215PBF Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
-
Řada
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
115A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
9mOhm @ 54A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
170 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4080 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
270W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220AB
Balení / pouzdro
TO-220-3
Technický list a dokumenty
Technické listy
IRFB4215PBF
HTML Datový list
IRFB4215PBF-DG
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
*IRFB4215PBF
SP001577800
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
AOT2610L
VÝROBCE
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
AOT2610L-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.59
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
PSMN4R6-60PS,127
VÝROBCE
Nexperia USA Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
7843
DiGi ČÍSLO DÍLU
PSMN4R6-60PS,127-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.15
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
STP76NF75
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1000
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP76NF75-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.04
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
IRFB3306PBF
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
5368
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRFB3306PBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.71
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
IXTP90N055T2
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXTP90N055T2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.06
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
IPS60R2K1CEAKMA1
CONSUMER
IXKH70N60C5
MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD
BUK9880-55A,115
MOSFET N-CH 55V 7A SOT223
IRFU13N20DPBF
MOSFET N-CH 200V 13A IPAK